Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STP7NK80Z
STP7NK80Z Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STP7NK80Z

工場モデル STP7NK80Z
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
パッケージ TO-220
株式 80490 pcs
データシート ST(B,P)7NK80Z(-1,FP)Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.039 $0.933 $0.764 $0.65 $0.549 $0.521 $0.502
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。80490のSTMicroelectronics STP7NK80Zの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 100µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ SuperMESH™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
電力消費(最大) 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1138 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 56 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.2A (Tc)
基本製品番号 STP7NK80

おすすめ商品

STP7NK80Z データテーブルPDF

データシート