Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STP75N3LLH6
STP75N3LLH6 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STP75N3LLH6

工場モデル STP75N3LLH6
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 75A TO220
パッケージ TO-220
株式 155746 pcs
データシート STx75N3LLH6(-S)TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013Multiple Devices 01/Aug/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.571 $0.511 $0.398 $0.329 $0.26
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。155746のSTMicroelectronics STP75N3LLH6の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ DeepGATE™, STripFET™ VI
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
電力消費（最大） 60W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2030 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 23.8 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 75A (Tc)
基本製品番号 STP75N

おすすめ商品

STP75N3LLH6 データテーブルPDF

データシート

STP75N3LLH6に関連した語彙

STP75N3LLH6関連コンポーネント