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STD8NM60N-1 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

STD8NM60N-1

工場モデル STD8NM60N-1
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
パッケージ I-PAK
株式 4123 pcs
データシート STx8NM60N
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4123のSTMicroelectronics STD8NM60N-1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
シリーズ MDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 650mOhm @ 3.5A, 10V
電力消費（最大） 70W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 560 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 19 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7A (Tc)
基本製品番号 STD8N

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データシート

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