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STD80N4F6 Image
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STD80N4F6

工場モデル STD80N4F6
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
パッケージ DPAK
株式 99884 pcs
データシート STD80N4F6Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Mult Dev Site Transfer 3/Apr/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.69 $0.619 $0.497 $0.409 $0.339
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。99884のSTMicroelectronics STD80N4F6の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6mOhm @ 40A, 10V
電力消費（最大） 70W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2150 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 36 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 STD80

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データシート

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