STD4NK80ZT4
工場モデル | STD4NK80ZT4 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK |
パッケージ | DPAK |
株式 | 140816 pcs |
データシート | ST(D,P)4NK80Z(-1,FP)Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.669 | $0.601 | $0.483 | $0.397 | $0.329 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 50µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
シリーズ | SuperMESH™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
電力消費(最大) | 80W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 575 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3A (Tc) |
基本製品番号 | STD4NK80 |
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