STD40P8F6AG
| 工場モデル | STD40P8F6AG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 80V DPAK |
| パッケージ | D-PAK (TO-252) |
| 株式 | 114331 pcs |
| データシート | STD40P8F6AGMult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.791 | $0.712 | $0.572 | $0.47 | $0.389 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4112 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | STD40 |
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