STD11N60M6
工場モデル | STD11N60M6 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | DISCRETE |
パッケージ | D-PAK (TO-252) |
株式 | 107445 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 |
---|
$0.343 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.75V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 520mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 90W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 387 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10.3 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
基本製品番号 | STD11 |
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