Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STD110N02RT4G-VF01
STD110N02RT4G-VF01 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STD110N02RT4G-VF01

工場モデル STD110N02RT4G-VF01
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 24V 32A/110A DPAK
パッケージ DPAK-3
株式 5148 pcs
データシート Mult Dev EOL 07/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5148のonsemi STD110N02RT4G-VF01の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.6mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 2.88W (Ta), 110W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3440 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 28 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 24 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 32A (Ta), 110A (Tc)
基本製品番号 STD110

おすすめ商品

STD110N02RT4G-VF01 データテーブルPDF

データシート

STD110N02RT4G-VF01に関連した語彙

STD110N02RT4G-VF01関連コンポーネント