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SCT10N120

工場モデル SCT10N120
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
パッケージ HiP247™
株式 17346 pcs
データシート Fine Tune SIC MOSFET Gate DriverLead Frame Base Material 20/Dec/2021SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022SCT10N120
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$4.336 $3.918 $3.243 $2.824 $2.46
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。17346のSTMicroelectronics SCT10N120の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 250µA
Vgs（最大） +25V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 690mOhm @ 6A, 20V
電力消費（最大） 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 290 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 22 nC @ 20 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 1200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)
基本製品番号 SCT10

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データシート

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