SCT1000N170
工場モデル | SCT1000N170 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | HIP247 IN LINE |
パッケージ | HiP247™ |
株式 | 12861 pcs |
データシート | SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022SCT1000N170 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$5.222 | $4.801 | $4.054 | $3.607 | $3.308 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | +22V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.3Ohm @ 3A, 20V |
電力消費(最大) | 96W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 133 pF @ 1000 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13.3 nC @ 20 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1700 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Tc) |
基本製品番号 | SCT1000 |
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