RJK2057DPA-WS#J0
工場モデル | RJK2057DPA-WS#J0 |
---|---|
メーカー | Renesas Electronics America Inc |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK |
パッケージ | 8-WPAK (3) |
株式 | 6891 pcs |
データシート | Mult Dev EOL 15/Dec/2018Label Change-All Devices 01/Dec/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-WPAK (3) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 85mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 30W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1250 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) |
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