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RJK2006DPE-00#J3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

RJK2006DPE-00#J3

工場モデル RJK2006DPE-00#J3
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
パッケージ LDPAK
株式 4629 pcs
データシート Label Change-All Devices 01/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4629のRenesas Electronics America Inc RJK2006DPE-00#J3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LDPAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 59mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 100W (Tc)
パッケージ/ケース SC-83
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1800 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 43 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 40A (Ta)
基本製品番号 RJK2006

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