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Renesas Electronics America Inc

NP82N04NUG-S18-AY

工場モデル NP82N04NUG-S18-AY
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 82A TO262
パッケージ TO-262
株式 5448 pcs
データシート Multiple Devices 28/Aug/2013Label Change-All Devices 01/Dec/2022Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5448のRenesas Electronics America Inc NP82N04NUG-S18-AYの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.2mOhm @ 41A, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta), 143W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9750 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 160 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 82A (Tc)

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データシート

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