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Renesas Electronics America Inc

NP82N04MDG-S18-AY

工場モデル NP82N04MDG-S18-AY
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 47982 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
128
$0.872
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。47982のRenesas Electronics America Inc NP82N04MDG-S18-AYの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.2mOhm @ 41A, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta), 143W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 175°C
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9000 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 150 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 82A (Tc)

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