NP23N06YDG-E1-AY
工場モデル | NP23N06YDG-E1-AY |
---|---|
メーカー | Renesas Electronics America Inc |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON |
パッケージ | 8-HSON |
株式 | 200259 pcs |
データシート | Label Change-All Devices 01/Dec/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 |
---|---|---|
$0.203 | $0.193 | $0.186 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSON |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 27mOhm @ 11.5A, 10V |
電力消費(最大) | 1W (Ta), 60W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1800 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 41 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23A (Tc) |
基本製品番号 | NP23N06 |
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