NP22N055SHE-E1-AY
工場モデル | NP22N055SHE-E1-AY |
---|---|
メーカー | Renesas Electronics America Inc |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 22A TO252 |
パッケージ | TO-252 (MP-3ZK) |
株式 | 4336 pcs |
データシート | NP22N055xLEMult Devices EOL 15/Jun/2018Label Change-All Devices 01/Dec/2022Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (MP-3ZK) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 39mOhm @ 11A, 10V |
電力消費(最大) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 890 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Ta) |
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