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Renesas Electronics America Inc

HAT2165N-EL-E

工場モデル HAT2165N-EL-E
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
パッケージ 8-LFPAK-iV
株式 40916 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
145
$0.825
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。40916のRenesas Electronics America Inc HAT2165N-EL-Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-LFPAK-iV
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.6mOhm @ 27.5A, 10V
電力消費（最大） 30W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5180 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 33 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 55A (Ta)

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