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Renesas Electronics America Inc

HAT2165HWS-E

工場モデル HAT2165HWS-E
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK
パッケージ LFPAK
株式 6817 pcs
データシート Mult Dev EOL 15/Dec/2018Label Change-All Devices 01/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6817のRenesas Electronics America Inc HAT2165HWS-Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.3mOhm @ 27.5A, 10V
電力消費（最大） 30W (Tc)
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 150°C
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5180 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 33 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 55A (Ta)

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