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Rectron USA

RMD1N25ES9

工場モデル RMD1N25ES9
メーカー Rectron USA
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363
パッケージ SOT-363-6L
株式 1886409 pcs
データシート RMD1N25ES9
提案された価格 （米ドルでの測定）
30000
$0.021
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRectron USAシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1886409のRectron USA RMD1N25ES9の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.1V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363-6L
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 600mOhm @ 500mA, 4.5V
電力消費（最大） 800mW (Ta)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 30 pF @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.1A (Ta)

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