RFD4N06L
工場モデル | RFD4N06L |
---|---|
メーカー | Harris Corporation |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 391517 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
987 |
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$0.116 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。391517のHarris Corporation RFD4N06Lの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600mOhm @ 1A, 5V |
電力消費(最大) | 30W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) |
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