Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

RFD3055LESM9A

工場モデル RFD3055LESM9A
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
パッケージ TO-252AA
株式 336219 pcs
データシート Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSRFD3055LE/LESM, RFP3055LEMult Dev 14/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.293 $0.257 $0.197 $0.156 $0.124
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。336219のonsemi RFD3055LESM9Aの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 107mOhm @ 8A, 5V
電力消費（最大） 38W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 350 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 11.3 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Tc)
基本製品番号 RFD3055

おすすめ商品

RFD3055LESM9A データテーブルPDF

データシート

RFD3055LESM9Aに関連した語彙

RFD3055LESM9A関連コンポーネント