RFD20N03SM
| 工場モデル | RFD20N03SM |
|---|---|
| メーカー | Harris Corporation |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| パッケージ | TO-252-3 (DPAK) |
| 株式 | 239879 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 701 |
|---|
| $0.155 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-3 (DPAK) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1150 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 20 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
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