RFD16N05LSM9A
| 工場モデル | RFD16N05LSM9A |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| パッケージ | TO-252, (D-Pak) |
| 株式 | 4197 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250mA |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 47mOhm @ 16A, 5V |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) |
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