PSMN2R0-40YLDX
工場モデル | PSMN2R0-40YLDX |
---|---|
メーカー | Nexperia USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56 |
パッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
株式 | 110917 pcs |
データシート | All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022PSMN2R0-40YLD |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.657 | $0.591 | $0.475 | $0.39 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。110917のNexperia USA Inc. PSMN2R0-40YLDXの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.05V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.1mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大) | 166W (Ta) |
パッケージ/ケース | SC-100, SOT-669 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6581 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 92 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Body) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 180A (Ta) |
基本製品番号 | PSMN2R0 |
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