PSMN2R0-30YL,115
工場モデル | PSMN2R0-30YL,115 |
---|---|
メーカー | Nexperia USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 |
パッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
株式 | 121849 pcs |
データシート | All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Logo 10/Dec/2016Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022PSMN2R0-30YL |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.587 | $0.527 | $0.423 | $0.348 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。121849のNexperia USA Inc. PSMN2R0-30YL,115の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.15V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 97W (Tc) |
パッケージ/ケース | SC-100, SOT-669 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3980 pF @ 12 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 64 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
基本製品番号 | PSMN2R0 |
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