PSMN038-100K,518
工場モデル | PSMN038-100K,518 |
---|---|
メーカー | Nexperia USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 8SO |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 5272 pcs |
データシート | Label Chg 12/Mar/20172017 Year-End EOL 8/Jan/2018All Dev Label Chgs 2/Aug/2020PSMN038-100K |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 38mOhm @ 5.2A, 10V |
電力消費(最大) | 3.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1740 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.3A (Tj) |
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