Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > PSMN027-100XS,127
PSMN027-100XS,127 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

PSMN027-100XS,127

工場モデル PSMN027-100XS,127
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
パッケージ TO-220F
株式 4147 pcs
データシート PSMN027-100XSAll Dev Label Chgs 2/Aug/2020Multiple Devices 05/Jul/2015Logo 10/Dec/2016Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4147のNexperia USA Inc. PSMN027-100XS,127の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 26.8mOhm @ 5A, 10V
電力消費（最大） 41.1W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1624 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 30 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 23.4A (Tc)

おすすめ商品

PSMN027-100XS,127 データテーブルPDF

データシート

PSMN027-100XS,127に関連した語彙

PSMN027-100XS,127関連コンポーネント