PSMN003-30P,127
工場モデル | PSMN003-30P,127 |
---|---|
メーカー | Nexperia USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 6000 pcs |
データシート | PSMN003-30B,30PLabel Chg 12/Mar/2017Mid-Year Product Disc 30/Jun/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Mult Device Reactivation 4/Jul/2012 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.8mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大) | 230W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9200 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 170 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75A (Tc) |
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