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Nexperia USA Inc.

PSMN003-30P,127

工場モデル PSMN003-30P,127
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 6000 pcs
データシート PSMN003-30B,30PLabel Chg 12/Mar/2017Mid-Year Product Disc 30/Jun/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Mult Device Reactivation 4/Jul/2012
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。6000のNexperia USA Inc. PSMN003-30P,127の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.8mOhm @ 25A, 10V
電力消費(最大) 230W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9200 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 170 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 75A (Tc)

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データシート