PSMN009-100W,127
| 工場モデル | PSMN009-100W,127 |
|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors / Freescale |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 100A SOT429 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 株式 | 5646 pcs |
| データシート | PSMN009-100W |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9 mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 他の名前 | 934055801127 PSMN009-100W PSMN009-100W-ND |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9000pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 214nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
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