Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

PMXB360ENEAZ

工場モデル PMXB360ENEAZ
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
パッケージ DFN1010D-3
株式 846372 pcs
データシート Label Chg 12/Mar/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020PMXB360ENEAPMXB360/PMV130 09/Dec/2016BondWire/Fab Site/Assembly Changes 04/Mar/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.158 $0.128 $0.087 $0.065 $0.049 $0.045
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。846372のNexperia USA Inc. PMXB360ENEAZの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.7V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DFN1010D-3
シリーズ Automotive, AEC-Q100
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 450mOhm @ 1.1A, 10V
電力消費（最大） 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
パッケージ/ケース 3-XDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 130 pF @ 40 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4.5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.1A (Ta)
基本製品番号 PMXB360

おすすめ商品

PMXB360ENEAZ データテーブルPDF

データシート

PMXB360ENEAZに関連した語彙

PMXB360ENEAZ関連コンポーネント