PMXB56ENZ
工場モデル | PMXB56ENZ |
---|---|
メーカー | NXP Semiconductors |
詳細な説明 | NEXPERIA PMXB56EN - 30 V, N-CHAN |
パッケージ | DFN1010D-3 |
株式 | 6611 pcs |
データシート | PMXB56EN |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP Semiconductorsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6611のNXP Semiconductors PMXB56ENZの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010D-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55mOhm @ 3.2A, 10V |
電力消費(最大) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 209 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.2A (Ta) |
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