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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > 1N4150
NTE Electronics, Inc

1N4150

工場モデル 1N4150
メーカー NTE Electronics, Inc
詳細な説明 DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
パッケージ DO-35
株式 1927605 pcs
データシート RoHS Statement1N4150 Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
50 100 150 200 250
$0.025 $0.023 $0.022 $0.021 $0.021
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNTE Electronics, Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1927605のNTE Electronics, Inc 1N4150の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1 V @ 200 mA
電圧 - 逆（VR）（最大） 50 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ DO-35
速度 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 6 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース DO-204AH, DO-35, Axial
パッケージ Bag
動作温度 - ジャンクション 175°C (Max)
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100 nA @ 50 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 200mA
Vrと、F @キャパシタンス 2.5pF @ 0V, 1MHz

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