1N4150-1
工場モデル | 1N4150-1 |
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メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
パッケージ | DO-35 |
株式 | 104621 pcs |
データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$0.38 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 200 mA |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 50 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 |
速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 4 ns |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 50 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 200mA |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | 1N4150 |
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