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APT80SM120S

工場モデル APT80SM120S
メーカー Microsemi Corporation
詳細な説明 SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK
パッケージ D3Pak
株式 5663 pcs
データシート Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSMult Devices 16/Oct/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrosemi Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5663のMicrosemi Corporation APT80SM120Sの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大） +25V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ D3Pak
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 55mOhm @ 40A, 20V
電力消費（最大） 625W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 235 nC @ 20 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 1200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)

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データシート

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