APT80SM120B
| 工場モデル | APT80SM120B |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1200V 80A TO247 |
| パッケージ | TO-247 |
| 株式 | 4712 pcs |
| データシート | Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSMult Devices 16/Oct/2017 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 40A, 20V |
| 電力消費（最大） | 555W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 235 nC @ 20 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
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