Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > JAN1N5812R
Microchip Technology

JAN1N5812R

工場モデル JAN1N5812R
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
パッケージ DO-203AA (DO-4)
株式 727 pcs
データシート Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
100
$53.851
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。727のMicrochip Technology JAN1N5812Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 950 mV @ 20 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 50 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ DO-203AA (DO-4)
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ MILITARY, MIL-PRF-19500/478
逆回復時間（trrの） 35 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース DO-203AA, DO-4, Stud
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
装着タイプ Stud Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10 µA @ 50 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 20A
Vrと、F @キャパシタンス 300pF @ 10V, 1MHz

おすすめ商品

JAN1N5812R データテーブルPDF

データシート

JAN1N5812Rに関連した語彙

JAN1N5812R関連コンポーネント