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JAN1N5809/TR

工場モデル JAN1N5809/TR
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 DIODE GEN PURP 100V 6A
パッケージ B, Axial
株式 17052 pcs
データシート Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
115
$2.638
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。17052のMicrochip Technology JAN1N5809/TRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 875 mV @ 4 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ B, Axial
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ Military, MIL-PRF-19500/477
逆回復時間（trrの） 30 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース B, Axial
パッケージ Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 5 µA @ 100 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 6A
Vrと、F @キャパシタンス 60pF @ 10V, 1MHz

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