EFC4C002NLTDG
工場モデル | EFC4C002NLTDG |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
パッケージ | 8-WLCSP (6x2.5) |
株式 | 5614 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-WLCSP (6x2.5) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力 - 最大 | 2.6W |
パッケージ/ケース | 8-XFBGA, WLCSP |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6200pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
基本製品番号 | EFC4C002 |
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