EFC4618R-P-TR
| 工場モデル | EFC4618R-P-TR |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH EFCP1818 |
| パッケージ | EFCP1818-4CC-037 |
| 株式 | 5336 pcs |
| データシート | Mult Devices 28/Apr/2017onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | EFCP1818-4CC-037 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力 - 最大 | 1.6W |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA, FCBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25.4nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 基本製品番号 | EFC4618 |
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