CSD19536KTTT
工場モデル | CSD19536KTTT |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK |
パッケージ | DDPAK/TO-263-3 |
株式 | 16219 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 |
---|---|
$2.253 | $2.023 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 375W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 12000 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 153 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200A (Ta) |
基本製品番号 | CSD19536 |
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