CSD19533Q5AT
工場モデル | CSD19533Q5AT |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON |
パッケージ | 8-VSONP (5x6) |
株式 | 74142 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$0.672 | $0.603 | $0.485 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSONP (5x6) |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.4mOhm @ 13A, 10V |
電力消費(最大) | 3.2W (Ta), 96W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2670 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Ta) |
基本製品番号 | CSD19533 |
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