SCT2H12NZGC11
| 工場モデル | SCT2H12NZGC11 |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM |
| パッケージ | TO-3PFM |
| 株式 | 31805 pcs |
| データシート | TO-3PFM Taping SpecTO-3PFM Inner StructureTO-3PFM SiC Part MarkingSCT2H12NZ ESD DataTO-3PFM MOS Constitution Material List |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.664 | $2.405 | $1.992 | $1.734 | $1.51 | $1.454 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 900µA |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PFM |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-3PFM, SC-93-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 184 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1700 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCT2H12 |
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