SCT2H12NYTB
| 工場モデル | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 |
| パッケージ | TO-268 |
| 株式 | 22909 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $2.481 | $2.23 | $1.827 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRohm Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。22909のRohm Semiconductor SCT2H12NYTBの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 410µA |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| 電力消費（最大） | 44W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 184 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1700 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCT2H12 |
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