SCT2120AFC
| 工場モデル | SCT2120AFC |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 650V 29A TO220AB |
| パッケージ | TO-220AB |
| 株式 | 6695 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 1/Feb/2021SCT2120AFC Wafer Chgs 2/Jun/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 3.3mA |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 156mOhm @ 10A, 18V |
| 電力消費（最大） | 165W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1200 pF @ 500 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 29A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCT2120 |
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