SCT2080KEC
| 工場モデル | SCT2080KEC |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 |
| パッケージ | TO-247 |
| 株式 | 5255 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 15/Oct/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4.4mA |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 117mOhm @ 10A, 18V |
| 電力消費（最大） | 262W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2080 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 106 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCT2080 |
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