RW1E025RPT2CR
| 工場モデル | RW1E025RPT2CR |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT |
| パッケージ | 6-WEMT |
| 株式 | 6035 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 30/Sep/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WEMT |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 2.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 480 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) |
| 基本製品番号 | RW1E025 |
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