RW1C020UNT2R
工場モデル | RW1C020UNT2R |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT |
パッケージ | 6-WEMT |
株式 | 4552 pcs |
データシート | Mult Dev EOL 30/Sep/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-WEMT |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 105mOhm @ 2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 400mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 180 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Ta) |
基本製品番号 | RW1C020 |
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