RS1E300GNTB
工場モデル | RS1E300GNTB |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP |
パッケージ | 8-HSOP |
株式 | 3972 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 33W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2500 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 39.8 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Ta), 80A (Tc) |
基本製品番号 | RS1E |
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