RS1E200GNTB
| 工場モデル | RS1E200GNTB |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
| パッケージ | 8-HSOP |
| 株式 | 288938 pcs |
| データシート | Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.332 | $0.292 | $0.224 | $0.177 | $0.142 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 25.1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1080 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta) |
| 基本製品番号 | RS1E |
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