BSM300C12P3E201

工場モデル	BSM300C12P3E201
メーカー	Rohm Semiconductor
詳細な説明	SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
パッケージ	Module
株式	138 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

1
$308.593

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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	5.6V @ 80mA
Vgs（最大）	+22V, -4V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ	Module
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	-
電力消費（最大）	1360W (Tc)
パッケージ/ケース	Module
パッケージ	Bulk

製品属性	属性値
運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Chassis Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	15000 pF @ 10 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	-
ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	300A (Tc)
基本製品番号	BSM300

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